300 mmウエハーの共用パイロットラインで新規装置・材料の技術検証が可能に 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (以下「産総研」という) 先端半導体研究センターは、NEDO（国立研究開発 ...

インテル株式会社は19日、プレス向け説明会を開催し、新しい3次元構造のトランジスタ「トライ・ゲート・トランジスタ」を発表した。 「トライ・ゲート・トランジスタ」は、立方体構造の ...

東芝は12月6日、同社が開発を進める20nmプロセス世代以降の低消費電力・高性能LSIの実現に向けた次世代トランジスタ構造の候補である立体構造トランジスタ「ナノワイヤトランジスタ」に ...

平川 一彦（東京大学 生産技術研究所 附属光物質ナノ科学研究センター 教授/ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 機構長） 杜 少卿（東京大学 生産技術研究所 特任助教） 村田 靖次郎 ...

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GAA構造トランジスタの試作に必要な要素プロセスを統合し、一連の製造工程を実施して試作を行い、その動作を確認しました（図2）。ゲート電極の断面電子顕微鏡写真よりシリコンナノシートの周りをゲート絶縁膜とゲート電極が取り囲んでいる形状が、ソース・チャネル・ドレインを横切る ...

産総研が確立した標準的なトランジスタ試作条件をもとに、国内企業や大学などが独自のプロセス技術開発を行い本パイロットラインにおける試作を実施することにより、独自プロセスを適用した最先端トランジスタ構造の性能面での良否を評価することが可能となります（概要図）。

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